Q3XG-1850R SMT 混合耦合器

xs2021

Q3XG-1850R SMT 混合耦合器Electro-Photonics

Electro-Photonics的Q3XG-1850R耦合器具备SMT性能，对于建议的线路板布局进行全面优化调整。选用中小型封装，具有低插入损耗和高功率性能。Q3XG-1850R混合耦合器主要用于窄带和宽带功率放大器应用领域。

Q3XG-1850R耦合器是非磁性的，适合用在MRI应用上使用。Dragon™耦合器在国外设计制造，满足RoHS和REACH标准。

Q3XG-1850R标准表层处理是浸锡。能根据需要提供化学镀镍浸金(ENIG)。

特征

1500–2200MHz

低损耗

高隔离度

严苛的振幅平衡性

90度正交

表面贴装技术

CTE适配

DCS、PCS、LTE频率段

卷带选择

评估板722-0006-03-E01

规格

规格：0.560x0.350英寸

频率：1500-2200MHz

额定功率：165瓦

插入损耗：0.10dB

幅度平衡性：±.2

隔离度：28dB

驻波比：1.15

相位平衡性：±2