Q3XD-665R SMT 混合耦合器Electro-Photonics

xs2021

Electro-Photonics LLC提供适合各种技术应用、功率和工作频段的3dB90度SMT混合耦合器。Q3XD-665R耦合器具备SMT功能性，针对介绍的线路板布局进行全面优化。

Q3XD-665R的3dB90°混合耦合器选用中小型封装，具备低插入损耗和高功率性能。Q3XD-665R混合耦合器主要用于窄带和宽带功率放大器技术应用。

Q3XD-665R耦合器是非磁性的，适合用在MRI应用上使用。Dragon™耦合器在国外设计制造，满足RoHS和REACH标准规定。

Q3XD-665R标准规定表层处理是浸锡。能根据需求提供化学镀镍浸金(ENIG)。

特征

470–860MHz

低损耗

高隔离度

严苛的振幅均衡

90度正交

表面贴装技术

CTE适配

NMT、有线数字电视频率段

卷带选择

评估板722-0006-04-E01

规格

尺寸：0.650x0.480英寸

工作频率：470-860MHz

额定功率：175瓦

插入损耗：0.20dB

幅度均衡：±.5

隔离度：23dB

驻波比：1.18

相位均衡：±2

Electro-Photonics 拥有25年的被动射频元件设计与制造经验，产品涵盖混合和定向耦合器、功分器、滤波器、测试板、隔离器、环形器等产品。

深圳市立维创展科技有限公司，代理分销Electro-Photonics产品。

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