Q3XG-1850R SMT 混合耦合器
Q3XG-1850R SMT 混合耦合器Electro-PhotonicsElectro-Photonics的Q3XG-1850R耦合器具备SMT性能，对于建议的线路板布局进行全面优化调整。选用中小型封装，具有低插入损耗和高功率性能。Q3XG-1850R混合耦合器主要用于窄带和宽带功率放大器应用领域。Q3XG-1850R耦合器是非磁性的，适合用在MRI应用上使用。Dragon™耦合器在国外设计制造，满足RoHS和REACH标准。Q3XG-1850R标准表层处理是浸锡。能根据需要提供化学镀镍浸金(ENIG)。特征1500–2200MHz低损耗高隔离度严苛的振幅平衡性90度正交表面贴装技术CTE适配DCS、PCS、LTE频率段卷带选择评估板722-0006-03-E01规格规格：0.560x0.350英寸频率：1500-2200MHz额定功率：165瓦插入损耗：0.10dB幅度平衡性：±.2隔离度：28dB驻波比：1.15相位平衡性：±2
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