华纳云介绍美国独立服务器的固态硬盘

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美国独立服务器的固态硬盘Solid State Drive是重要的硬件之一，一般会简称为固盘。固态硬盘基本原理SSD是后期兴起的储存装置，是通过用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元FLASH芯片、DRAM芯片组成。其性能方面超越美国独立服务器传统的固态硬盘机械硬盘。因SSD内部是由许多Flash Memory所组成，故传输速度方面比起机械装置的传统硬盘来的优秀许多。 所以很多美国独立服务器硬件都会配备固态硬盘。

固态硬盘Solid State Drive的组成

一般市面上见到的美国独立服务器硬件固态硬盘的外观与2.5”硬盘差不了多少，但固态硬盘将外壳拆开来看，里面则会是一片上面布满密密麻麻电子元件的PCB，这些电子元件其中有两样是组成SSD的关键。第一是负责存放美国独立服务器资料的NAND Flash Memory，第二则是控制SSD的 Controller。这两种元件关系紧密相关，负责整个SSD的储存、传输、运作等。

负责存放资料的NAND Flash Memory

上述提到的NAND Flash Memory在SSD储存装置中扮演着重要的角色，因为其就是储存美国独立服务器资料的地方。传统硬盘利用磁性原理来记录资料，而NAND Flash Memory是由浮闸电晶体组成，利用电流将电子存放至浮闸电晶体当中来记录资料，依技术的不同又可以细分成单阶储存单元single-level cell，SLC、多阶储存单元快闪记忆体Multi-level cell flash memory，MLC flash memory。目前世界主要的厂商有Samsung、Toshiba、Micron、Hynix、Intel等。

NAND Flash Memory 特性整理

无法原地直接更改美国独立服务器资料，若要对已写过资料的位置再次写入资料时，必须先执行抹除的动作，而一区块抹除动作需要的时间约为一个页写入动作时间的10~20倍。NAND Flash Memory写入单位为page，而抹除单位为Block。一个抹除的单位大于写入单位，这表示若要执行区块抹除动作，必须先将欲抹除区块中的有效页搬移至其他区块才可以进行。NAND Flash Memory有抹除次数的限制。若某一区块经常被抹除而超过可用次数的话，会造成区块写入/抹除动作错误。

NAND Flash Memory 内部结构

外观看起来不起眼且小小一片的NAND Flash memory，内部则是利用大量的电晶体排列成一个大的阵列来存放美国独立服务器资料，庞大的储存空间也需要有系统的来管理，所以里头又细分为Page和Block。

1、Page : 是NAND Flash memory 读写最小单位，Page可还以往下分为两个区域，分别是存放美国独立服务器资料及存放ECC的地方。存放资料的区域大小为512Byte的倍数，1Page可以为2112Byte、4313Byte等，每种型号的Flash memory Page大小都不一样。

2、Block: 是NAND Flash memory 抹除最小单位，是由多个page组合起来成为一个大的区域，Block的大小依照型号的不同亦有不同的大小。

SSD关键的Controller

前面有提到SSD的组成有两个关键元件，这边要讲到的是SSD Controller，它必须维持SSD上的许多片的Flash Memory能正常运作，同时也是负责Flash memory与美国独立服务器沟通的桥梁。

因为Flash Memory存储读写方式与美国独立服务器传统硬盘大不相同，而目前常见的档案系统NTFS、FAT32、HFS+、EXT3等都是依照传统硬盘的存储读写方式而设计出来的。所以SSD Controller里面有一个重要的功能，就是将Flash Memory模拟成传统硬盘让Flash Memory可以直接在美国独立服务器上使用。

还有上面有提到NAND Flash Memory有抹除次数限制，为了NAND Flash Memory使用寿命延长，Controller必须有效率让每个Page平均写入，避免都是在对同一个page作读写这样会加速损耗导致寿命减短，不同厂商的Controller的运算方法皆不同。