RIE反应离子刻蚀机
CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：介电材料（SiO2、SiNx等）
硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
III-V材料（GaAs、InP、GaN等）
溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）
类金刚石（DLC）
产品特点：
PLC工控机控制整个清洗过程，全自动进行。
7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化操作界面显示，自动监测工艺参数状态，0~99配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。
手动、自动两种工作模式。
全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。
采用防腐数字流量计控制，标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。
具备HEPA高效过滤气体返填吹扫功能。
符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。
316不锈钢、航空铝真空仓选择。
采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。
有效处理面积大，可处理最大直径200mm晶元硅片。
RIE反应离子刻蚀机
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